중국 메모리 반도체 기업 창신메모리(CXMT·长鑫存储)가 전시장에서 자체 개발한 LPDDR5X와 DDR5 제품을 선보이고 있다. 창신메모리는 20일 안후이성 허페이(安徽省合肥)에서 열린 ‘2026 세계제조업대회’에서 5세대 D램 기술 플랫폼의 양산을 발표했다. (사진=창신메모리 홈페이지)

중국 최대 D램 제조업체 창신메모리(CXMT·长鑫存储)가 5세대 D램 기술을 적용한 제품의 양산에 들어가면서 삼성전자와 SK하이닉스 등이 주도해 온 세계 메모리 반도체 시장에 도전장을 던졌다.

창신메모리는 지난 20일 안후이성 허페이(安徽省合肥)에서 열린 ‘2026 세계제조업대회’에서 5세대 D램 기술 플랫폼인 ‘G5’의 양산을 시작했다고 발표했다. 현장에서는 G5 기술을 적용한 24기가비트(Gb) LPDDR5X 제품 2종도 공개됐다.

LPDDR5X는 스마트폰과 태블릿PC 등 휴대용 전자기기에 사용되는 저전력·고성능 메모리 반도체다. 이번에 공개된 제품은 창신메모리의 이전 세대 동급 제품보다 저장 용량이 50% 늘어났으며, 서로 다른 두 가지 패키지 형태로 생산된다.

창신메모리는 G5 플랫폼을 통해 데이터를 저장하는 메모리 셀의 핵심 구조 간격을 11.95나노미터까지 줄였다고 밝혔다. 미세한 회로를 형성하기 위해 동일한 제조 공정을 여러 차례 반복하는 ‘쿼드러플 패터닝’ 기술이 적용됐다.

회사 측은 8기가비트 제품을 기준으로 하나의 웨이퍼에서 만들 수 있는 전체 칩 수가 기존 4세대 플랫폼보다 최소 50% 증가했다고 설명했다. 다만 이는 불량품을 제외한 실제 수율이 아니라 웨이퍼에서 생산할 수 있는 총 칩 수를 기준으로 한 수치다.

창신메모리는 컴퓨터 시뮬레이션과 중국 반도체 장비업체들과의 공동 연구를 통해 핵심 생산공정을 개발했다고 강조했다. 미국의 첨단 반도체 장비·소프트웨어 수출 규제가 이어지는 상황에서 중국이 자국 중심의 반도체 공급망 구축에 속도를 내고 있다는 의미로 풀이된다.

세계 D램 시장은 현재 삼성전자와 SK하이닉스, 미국 마이크론이 주도하고 있다. 창신메모리는 생산 규모와 수율, 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 첨단 제품 분야에서 한국 기업들과 여전히 기술 격차가 있는 것으로 평가된다.

그러나 중국 스마트폰과 전자제품 제조업체들이 자국산 반도체 사용을 확대하고 창신메모리가 생산량을 빠르게 늘릴 경우 범용 D램 시장의 가격 경쟁은 한층 치열해질 전망이다. 중국의 메모리 반도체 자립 움직임이 삼성전자와 SK하이닉스에 중장기적인 부담으로 작용할 가능성도 커지고 있다.